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掃描電化學(xué)顯微鏡技術(shù)(SECM)
  • 發(fā)布時(shí)間 : 2020-10-28 13:05:32
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1.什么是掃描電化學(xué)顯微鏡技術(shù)?
掃描電化學(xué)顯微鏡(SECM)是一種測(cè)量樣品在溶液中局部電化學(xué)活性的掃描探針技術(shù)。反饋模式是最常見的SECM形式,測(cè)量與樣品相互作用的氧化還原介質(zhì)的法拉第電流,引起固有的化學(xué)選擇性。
SECM是A.J.Bard[1]在1989年提出的,它是基于先前的工作,證明了從有偏壓的大電極擴(kuò)散的電活性物種可以通過其擴(kuò)散層內(nèi)的微電極進(jìn)行測(cè)量[2]。在這項(xiàng)工作的基礎(chǔ)上,研究表明,當(dāng)探針靠近樣品時(shí),即使沒有偏壓樣品,與溶液中氧化還原介質(zhì)相互作用的偏壓探針?biāo)鶞y(cè)得的信號(hào)也會(huì)受到影響,并且也會(huì)受到接近絕緣樣品的影響。此外,SECM測(cè)量的信號(hào)取決于探針和樣品之間的距離。掃描電化學(xué)顯微鏡利用這種現(xiàn)象來描繪樣品的電化學(xué)活性和形貌。

自引入和商業(yè)化以來,SECM已成為最流行的掃描探針電化學(xué)技術(shù)。最初引入的直流(dc)SECM形式所提供的靈活性僅在近年來通過引入交流(ac)SECM和一些恒定距離SECM模式而得到擴(kuò)展。雖然本文只考慮最簡(jiǎn)單的SECM形式,即僅探針有偏壓的反饋模式,但有關(guān)其他SECM類型的更多信息,可以在我們的網(wǎng)站中找到。


2.SECM技術(shù)是如何工作的?
在SECM中,超微電極(UME)探針在已知電位下偏壓,保持在樣品附近以測(cè)量由于電化學(xué)活性物質(zhì)(氧化還原介質(zhì))在間隙中擴(kuò)散并在UME處被還原或氧化而產(chǎn)生的法拉第電流。測(cè)得的法拉第電流反映了樣品的電化學(xué)活性。在最簡(jiǎn)單的SECM反饋模式中,樣品在開路電位(OCP)下保持無偏壓。

SECM的UME探針是該技術(shù)的關(guān)鍵工作原理。在SECM中,通常使用25微米或更小的直徑。當(dāng)使用UME時(shí),會(huì)發(fā)生半球向電極的擴(kuò)散,如圖1所示,并且探針在電解質(zhì)中測(cè)得的穩(wěn)態(tài)電流由氧化還原物質(zhì)向UME探針的擴(kuò)散確定。這意味著測(cè)得的穩(wěn)態(tài)法拉第電流由下式給出:

其中iss是穩(wěn)態(tài)電流,n是轉(zhuǎn)移的電子數(shù),F(xiàn)是法拉第常數(shù),單位為C mol-1,D是擴(kuò)散系數(shù),單位為cm2s-1,C是體積濃度,單位為mol cm-3,r是UME的半徑,單位為cm。該方程表明,測(cè)量電流與氧化還原介質(zhì)的濃度直接相關(guān)。

當(dāng)偏壓的UME探針與絕緣樣品接近時(shí),出現(xiàn)負(fù)反饋,氧化還原介質(zhì)向探針的擴(kuò)散受阻,如圖2所示。這導(dǎo)致探針測(cè)得的氧化還原介質(zhì)濃度較低,因此測(cè)得的電流比溶液中的電流低。當(dāng)SECM探針位于導(dǎo)電樣品上方時(shí),樣品充當(dāng)雙極電極,即使沒有偏壓,也可以循環(huán)探針下方區(qū)域的氧化還原介質(zhì),如圖3所示,并局部達(dá)到能斯特平衡電位。這種介質(zhì)循環(huán)導(dǎo)致探針檢測(cè)到的介質(zhì)濃度局部增加,進(jìn)而導(dǎo)致測(cè)量電流增加。

隨著探針到絕緣樣品間隙的減小,介質(zhì)擴(kuò)散受阻的程度增加。這導(dǎo)致絕緣體上探針到樣品的距離減小時(shí),電流的絕對(duì)值減小。另一方面,隨著探針到導(dǎo)電樣品間隙的減小,來自樣品的正反饋增加,導(dǎo)致導(dǎo)體上探針到樣品的距離減小時(shí),電流的絕對(duì)值增加。圖4中對(duì)比了這些響應(yīng)。通過比較可以看出,兩種樣品性質(zhì)對(duì)掃描電化學(xué)顯微鏡測(cè)量的信號(hào)有影響:(1)樣品活性;(2)樣品形貌。如果考慮兩種不同的樣品類型,一種是具有高低形貌變化的均勻絕緣樣品,另一種是具有非均勻活性的完全平坦樣品,則可以進(jìn)一步證明這些不同的對(duì)比度。這兩種樣品類型都會(huì)顯示SECM探針信號(hào)的變化,但原因不同。當(dāng)測(cè)量具有高低形貌變化的均勻絕緣樣品時(shí),探針到樣品的距離在整個(gè)測(cè)量過程中發(fā)生變化。這導(dǎo)致由于絕緣體處的負(fù)反饋而使電流信號(hào)絕對(duì)值高于谷值,低于峰值,如圖5所示。對(duì)于具有活性變化的完全平坦樣品,還可以看到電流信號(hào)的波動(dòng)。在這種情況下,探針到樣品的距離在整個(gè)測(cè)量過程中保持不變,因?yàn)樘结槒恼答亝^(qū)域移動(dòng)到負(fù)反饋區(qū)域,反之亦然,所測(cè)量的電流變化,在最活躍區(qū)域的電流的絕對(duì)值更高,如圖6所示。因此,對(duì)于非常粗糙的樣品,控制探針到樣品的距離進(jìn)行SECM測(cè)量是有益的。有許多方法可以實(shí)現(xiàn)恒定距離的SECM,盡管本文不討論這些方法。


3.SECM的基本測(cè)試類型
SECM有兩種基本的實(shí)驗(yàn)類型:SECM逼近曲線和線掃描(可構(gòu)建區(qū)域掃描)。
探針與樣品之間的距離對(duì)測(cè)量電流的影響是探針逼近曲線實(shí)驗(yàn)的關(guān)鍵,在逼近曲線實(shí)驗(yàn)中,探針響應(yīng)是其在z軸中位置的函數(shù),即探針與樣品之間的距離。逼近曲線在SECM中有許多函數(shù),最常用的是通過逼近曲線來定位探針相對(duì)樣品的距離,以進(jìn)行線掃描或區(qū)域掃描測(cè)量。它也可以用作獨(dú)立的實(shí)驗(yàn)類型。例如,逼近曲線被證明是測(cè)量樣品溶脹隨時(shí)間變化[3],并且在改變樣品偏壓條件下[4]的有效技術(shù)。它們還用于研究在不易被宏觀電化學(xué)測(cè)量的樣品上發(fā)生的反應(yīng)動(dòng)力學(xué),例如活細(xì)胞和二維材料。
線掃描實(shí)驗(yàn)是一種SECM測(cè)量方法,在接近基底的位置上對(duì)探針進(jìn)行x或y方向的水平掃描,并將探針信號(hào)繪制為位置的函數(shù)。區(qū)域掃描是通過在遞增的y方向位置執(zhí)行的一系列x方向線掃描建立起來的。這就生成了區(qū)域圖像相關(guān)的探測(cè)信號(hào),通常是電流,圖7中給出一個(gè)例子。區(qū)域掃描對(duì)于顯示樣品的局部電化學(xué)特征特別有用,并且隨著時(shí)間的推移不斷進(jìn)行測(cè)量時(shí),可用于跟蹤電化學(xué)過程的演變。


掃描電化學(xué)顯微鏡并沒有成像實(shí)驗(yàn)?zāi)菢悠毡椋怯脕頊y(cè)量探針靠近樣品表面的情況,以研究樣品中物質(zhì)的吸附、解吸和溶解。這些測(cè)量是在固定位置使用標(biāo)準(zhǔn)電化學(xué)測(cè)量的,并且取決于從樣品到探針的物質(zhì)擴(kuò)散。


4.SECM的組成

如圖8所示,SECM由許多部件組成。為了滿足x,y,z方向的掃描,SECM都有一個(gè)x,y,z掃描平臺(tái),能夠達(dá)到最高分辨率測(cè)量所需的亞微米級(jí)步長(zhǎng)。雖然反饋模式只要求探針有偏壓,需要一個(gè)單一的恒電位儀測(cè)量,但SECM在其他模式下進(jìn)行時(shí),也要求樣品作為第二工作電極有偏壓。因此,SECM都使用雙恒電位儀。樣品放置在工作臺(tái)上的一個(gè)電化學(xué)電解池中,為調(diào)整樣品的傾斜度做了準(zhǔn)備。最后,SECM需要使用UME探針,其通常作為測(cè)量中的主要工作電極。

SECM中使用的UME是由一個(gè)被絕緣套包圍的活性電極材料組成,其直徑是嚴(yán)格控制的。探針尖端被磨平,形成一個(gè)活性區(qū)域,即一個(gè)扁平的圓盤電極。在SECM中,由于UME對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響很大,所以應(yīng)該仔細(xì)考慮它。SECM測(cè)量的分辨率最終取決于探針活動(dòng)區(qū)域的直徑。通常,選擇與感興趣的特征相似或小于感興趣特征的尺寸的探針。雖然對(duì)于間隔良好的活性特征,探針可以檢測(cè)到更小的特征。探針直徑還決定了在整個(gè)測(cè)量過程中探針與樣品表面的距離。因此,活動(dòng)直徑較小的探針需要較小的探針到樣品的距離。同樣重要的是絕緣護(hù)套的半徑與活性材料的半徑之比。這稱為RG比,由下式給出:


其中R是絕緣護(hù)套的半徑,r是電極的有效面積的半徑。RG比率影響生成的SECM圖像的清晰度。如果RG比過大,氧化還原介質(zhì)向探針活性區(qū)的擴(kuò)散會(huì)在絕緣樣品上的較大探針到樣品的距離處受阻。雖然RG比為1可能會(huì)得到最好的結(jié)果,但事實(shí)并非如此。當(dāng)RG比太小時(shí),氧化還原介質(zhì)在絕緣體上的擴(kuò)散不會(huì)被有效阻止。因此,由此產(chǎn)生的不良負(fù)反饋響應(yīng)可能導(dǎo)致導(dǎo)電區(qū)和絕緣區(qū)之間缺乏區(qū)分。通常情況下,SECM探針的RG比為10,但這可能會(huì)有所不同。例如,最小的探針可以用較大的RG比制成,以提高耐久性。探針的最后一個(gè)關(guān)鍵特性是使用的活性材料。這會(huì)影響探針的可接近電化學(xué)窗口,以及可在探針處執(zhí)行的電化學(xué)。在大多數(shù)SECM出版物中,Pt是首選的探針材料[5]。


5.為什么要采用SECM技術(shù)?
掃描電化學(xué)顯微鏡有許多優(yōu)點(diǎn)。使用SECM可以局部檢測(cè)樣品的電化學(xué)活性。在宏觀電化學(xué)中,測(cè)量的是整個(gè)樣品的平均值,這意味著可能對(duì)測(cè)量有很大影響的局部特征和過程不能與其他特征區(qū)分開來。通過使用SECM可以將這些效果可視化。比如,使用SECM來測(cè)量新材料晶粒和晶界的電化學(xué)特性,這些特征通常對(duì)系統(tǒng)的整體電化學(xué)特性有不同的影響,否則很難區(qū)分。此外,SECM是一種非接觸技術(shù),與原子力顯微鏡(AFM)等其他局部測(cè)量技術(shù)相比,可以在更大的探針到樣品的距離上進(jìn)行。這在測(cè)量容易通過接觸而損壞的易碎樣品時(shí)尤其有利,例如在電池電極上形成的固體電解質(zhì)界面或二維材料薄片。SECM對(duì)樣品也沒有導(dǎo)電性要求,它可以用來測(cè)量從完全絕緣到完全導(dǎo)電的樣品,甚至那些導(dǎo)電區(qū)域被隔離在絕緣基體中的樣品。這使得SECM具有高度的靈活性,適用于廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。此外,這意味著SECM可以用來測(cè)量可能很難用宏觀電化學(xué)測(cè)量的樣品,特別是因?yàn)殡娊佑|不容易而無法測(cè)量的樣品。例如液-液界面、生物材料、二維材料和電極陣列,每個(gè)點(diǎn)都可以單獨(dú)測(cè)試。最后,SECM對(duì)測(cè)量中使用的介質(zhì)具有固有的選擇性。這意味著可以探測(cè)特定化學(xué)物質(zhì)與樣品的相互作用。這在研究催化劑、抗原-傳感器相互作用、生物分子代謝產(chǎn)物的釋放以及鋰離子在電池電極上的插層/脫層等方面具有重要意義。


6.SECM可以用來做什么?
SECM可用于任何由宏觀電化學(xué)測(cè)量的系統(tǒng),其中局部電化學(xué)特性是有意義的,圖9為一些已使用SECM的領(lǐng)域。由于其廣泛的適用性,SECM已被廣泛應(yīng)用于很多領(lǐng)域,包括:
研究腐蝕過程[6]
涂層破損分析[7]
電池電極上固體電解質(zhì)界面形成的研究[8]
燃料電池催化劑的篩選[9]
活細(xì)胞形態(tài)的測(cè)量[10]
穿過膜的離子流動(dòng)研究[11]
二維材料的電子性質(zhì)[12]


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